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Micron DDR4 eTT Z11B 1x8 3200MHz
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Micron |
型號 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
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DDR4 |
Z11B |
1024x8 |
8G |
78 |
7.5x12mm |
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BIN1 |
NA |
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BIN2 |
PASS |
3200MHz,1.35V |
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BIN3 |
PASS |
2666MHz,1.20V |
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BIN4 |
PASS |
2400MHz,1.20V |
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BIN5 |
PASS |
2400 MHz |
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BIN6 |
FAIL |
2400 MHz,Hbit RT |
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BIN7 |
FAIL |
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BIN8 |
FAIL |
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Micron DDR4
型號:Z11B
規格:1024x8
容量:8G
Ball數:78
尺寸:7.5x12mm
3200MHz~2400MHz
電壓:1.35V~1.2V
Nanya DDR4 eTT 1x8 3200MHz
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Nanya |
型號 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
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DDR4 |
SA41C |
1024x8 |
8G |
78 |
7.5x12mm |
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BIN1 |
NA |
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BIN2 |
PASS |
3200MHz,16-19-W16 ,1.35V |
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BIN3 |
PASS |
2666MHz,19-19-W18 ,1.20V |
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BIN4 |
PASS |
2400MHz, 16-16-W12 ,1.20V |
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BIN5 |
PASS |
2400 MHz,Hbit |
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BIN6 |
FAIL |
2400 MHz,Hbit RT |
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BIN7 |
FAIL |
2400 MHz, IDD FUNCTION FAIL |
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BIN8 |
FAIL |
OS DC FAIL |
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Nanya DDR4
型號:SA41C
規格:1024x8
容量:8G
Ball數:78
尺寸:7.5x12mm
3200MHz~2400MHz
電壓:1.35V~1.20
Micron DDR4 eTT Z11C 1x8 3200MHz
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Micron |
型號 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
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DDR4 |
Z11C |
1024x8 |
8G |
78 |
7.5x12mm |
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BIN1 |
NA |
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BIN2 |
PASS |
3200MHz,16-19-W16 ,1.35V |
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BIN3 |
PASS |
2666MHz,19-19-W18 ,1.20V |
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BIN4 |
PASS |
2400MHz, 16-16-W12 ,1.20V |
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BIN5 |
PASS |
2400 MHz,Hbit |
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BIN6 |
FAIL |
2400 MHz,Hbit RT |
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BIN7 |
FAIL |
2400 MHz, IDD FUNCTION FAIL |
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BIN8 |
FAIL |
OS DC FAIL |
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Micron DDR4
型號:Z11C
規格:1024x8
容量:8G
Ball數:78
尺寸:7.5x12mm
3200MHz~2400MHz
電壓:1.35V~1.2v
Nanya DDR3 eTT 128x16
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Nanya |
型號 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
|
DDR3 |
SA39 |
128x16 |
2G |
96 |
7.5x13mm |
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BIN1 |
PASS |
1866MHz,CL13,1.35V |
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BIN2 |
NA |
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|
BIN3 |
GOOD |
1866MHz,CL13,1.35V |
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BIN4 |
GOOD |
1600MHz,CL11,1.50V |
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BIN5 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
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BIN6 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
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BIN7 |
FAIL |
FAIL |
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BIN8 |
FAIL |
FAIL |
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型號:SA39
規格:128x16
容量:2G
Ball數:96
尺寸:7.5x13mm
1866MHz~1333MHz
Nanya DDR3 eTT 256x16
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Nanya |
型號 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
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DDR3 |
SA30 |
256x16 |
4G |
96 |
8x13mm |
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BIN1 |
GOOD |
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BIN2 |
GOOD |
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BIN3 |
GOOD |
1866MHz,CL13,1.35V |
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BIN4 |
GOOD |
1600MHz,CL11,1.50V |
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BIN5 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
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BIN6 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
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BIN7 |
FAIL |
FUNCTION FAIL |
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BIN8 |
FAIL |
OS DC FAIL |
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Nanya DDR3 ett
型號:SA30
規格:256x16
容量:4G
Ball數:96
尺寸:8x13mm
1866MHz~1333MHz
電壓:1.3V~1.5v
DRAM eTT
DDR3
電壓: 1.5V
DR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866, DDR3-2133
DDR4
電壓: 1.2V (比DDR3更低)
DDR4-2133 (最低)、DDR4-2400, 2666, 2800, 2933, 3000, 3200…
DDR4 Module
DDR4 Module規格
DIMM（Dual In Line Memory Module） :是一般桌電所使用的記憶體尺寸
SO-DIMM（Small Outline DIMM） :則是用於筆記型電腦的記憶體尺寸，它的尺寸比 DIMM 還要短很多。
那什麼是RDIMM？什麼又是UDIMM呢？
RDIMM即Registered DIMM，表示控制器輸出的位址和控制信號經過Reg寄存後輸出到DRAM晶片，控制器輸出的時鐘信號經過PLL後到達各DRAM晶片。
UDIMM即Unbuffered DIMM，表示控制器輸出的位址和控制信號直接到達DIMM上的DRAM晶片。
RDIMM：
registered DIMM（Registered Dual In-line Memory Module），帶寄存器的雙線記憶體模組。Registered記憶體本身有兩種工作模式，即 Registered模式和Buffered模式。在支援Registered工作模式的主機板上工作時，Registered記憶體工作於 Registered模式，這時主機板上的位址信號和控制信號會比資料信號先一個時鐘週期到達DIMM，送入Register晶片後會在其中停留一個時鐘週期，然後在下一個時鐘信號的上升沿從Register輸出，與此時從主機板上到達DIMM的資料信號一起同時傳送到SDRAM。當Registered記憶體工作在普通的主機板上時，為Buffered工作模式，這時所有的信號也基本上是同時到達DIMM再同時傳送到SDRAM，Register晶片這時在功能上只相當於一個簡單的Buffer，其輸入到輸出之間是直通的，只簡單的起到改善位址信號和控制信號的作用，時序上與Unbuffered記憶體是一樣的。 （一般用於伺服器）
UDIMM:
無緩衝雙通道記憶體模組 (Unbuffered Dual In-Line Memory Modules，UDIMM).（一般常用的記憶體條，用於一般家商用）
